Pembuatan dan Karakterisasi Lapisan Tipis ITO Doping ZnO dengan Teknik Spin-Coating melalui Proses Sol-Gel

Lapisan tipis ITO (Indium Tin Oxide) doping ZnO telah dibuat dengan teknik spin-coating melalui proses sol-gel. Proses kalsinasi dilakukan pada suhu 550 oC selama 1 jam. Pembuatan lapisan tipis dilakukan dengan memvariasikan konsentrasi doping (0%, 1%, 3% dan 5% w/v) serta jumlah pelapisan (4 dan 5 kali pelapisan). Struktur kristal dikarakterisasi dengan XRD (X-Ray Diffraction), ketebalan lapisan dan morfologi permukaan dikarakterisasi menggunakan SEM (Scanning Electron Microscopy) dan sifat listrik lapisan tipis ITO doping ZnO dikarakterisasi menggunakan multimeter. Hasil karakterisasi XRD menunjukkan lapisan tipis ITO doping ZnO memiliki struktur polikristal yaitu rhombohedral, kubik (bixbyite) dan heksagonal (wurtzite) dengan ukuran kristal sebesar 67,4 nm. Hasil karakterisasi SEM menunjukkan lapisan tipis ITO doping ZnO memiliki morfologi permukaan yang hampir merata walaupun masih terdapat agregat di beberapa titik dan ketebalan rata-rata lapisan tipis yang dihasilkan adalah 0,974 μm. Dari data multimeter menunjukkan jumlah lapisan yang lebih baik antara 4 dan 5 kali pelapisan didapatkan pada 5 kali pelapisan dengan penambahan 5% doping, dengan nilai hambatan sebesar 80,8 kΩ/cm2. Bila dibandingkan dengan hambatan lapisan tipis ITO 5 kali lapis tanpa penambahan doping yaitu sebesar 11,796 kΩ/cm2, maka dapat diketahui bahwa doping ZnO mengakibatkan adanya kenaikan nilai hambatan pada material ITO.