Sintesis dan Karakterisasi Lapisan Tipis Cusno3 Dengan Penambahan Zat Aditif Dea (Diethanolamine) Menggunakan Metode Spin-Coating

Lapisan tipis adalah senyawa organik maupun anorganik yang bersifat semikonduktor,CuSnO3 merupakan semikonduktor amorf dengan band gap 2,0-2,5 eV, kali ini metode Spin coating dapat digunakan untuk mensintesis lapisan tipis CuSnO3. Penelitian ini bertujuan untuk membandingkan penambahan zat aditif DEA dan jumlah pelapisan terhadap penurunan nilai band gap lapisan tipis CuSnO3. Hasil penelitian menunjukkan perbandingan variasi DEA 1 ml, 1,5 ml, dan 2 ml, diperoleh nilai band gap 3,0089 eV, 2,9761 eV, dan 2,9161 eV. Semakin besar volume DEA, maka akan semakin kecil nilai band gap yang dihasilkan. Pada variasi jumlah pelapisan 1 kali pelapisan, 3 kali pelapsisan, dan 5 kali pelapisan, dipeloreh nilai band gap 2,9161 eV, 2,8671 eV, dan 2,0230 eV. Ketebalan lapisan dipengaruhi oleh jumlah pelapisan, semakin banyak pelapisan yang dibutuhkan maka lapisan yang dihasilkan akan semakin tebal. Diperoleh ketebalan 0,019 μm dengan nilai band gap terkecil 2,0230 eV, serta konduktivitasnya yaitu 48.6 x 10-2 S/cm. Hasil XRD yang terbentuk pada jumlah pelapisan 5 kali pelapisan terbentuk amorf CuSnO3.