Rindiani, Maiyola
(2024)
Pengaruh Konsentrasi Prekursor dalam Pembuatan Lapisan Tipis CuSnO
3
dengan Penambahan Zat Aditif Monoethanolamine (MEA).
Skripsi thesis, Universitas Negeri Padang.
Abstract
Lapisan tipis merupakan lapisan yang terbuat dari senyawa organik ataupun
non organic yang bersifat semikonduktor, konduktor, hingga isolator. Penelitian
ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh penambahan volume MEA pada lapisan
tipis CuSnO
3
dan pengaruh konsentrasi prekursor terhadap lapisan tipis CuSnO
3
dengan menggunakan metoda melalui sol-gel dengan teknik dip-coating. Variasi
penambahan volume MEA yang digunakan yaitu 1,0 mL, 1,5 mL, dan 2 mL dan
variasi konsentrasi precursor yang digunakan yaitu 0,025 M, 0,05 M, dan 0,075 M.
Lapisan tipis CuSnO
3
dikarakterisasi dengan UV-DRS, XRD, FPP, dan SEM. Hasil
pengujian band-gap semakin besar penambahan volume MEA maka band-gapnya
semakin turun sedangkan varasi konsentrasi precursor diperoleh nilai band-gap
semakin kecil dengan meningkatnya konsentrasi. Nilai band-gap terendah pada
variasi penambahan volume MEA 2 mL optimum nilai band-gap 2,1706 eV. Pada
variasi konsentrasi precursor kondisi optimum pada konsentrasi 0,075 M. Hasil
XRD variasi konsentrasi precursor optimum diperoleh puncak daerah 2θ 52,4993.
Hasil pengujian FPP pada lapisan tipis CuSnO
3
variasi konsentrasi precursor
semakin besar konsentrasi maka nilai resistensi semakin besar pula. Data SEM dari
lapisan tipis CuSnO
3
konsentrasi 0,05 M menunjukkan permukaan lapisan yang
cukup merata dan diperoleh ketebalan lapisan yakni 1,883µ. Nilai resistensi
terendah diperoleh dengan konsentrasi 0,025 M dengan nilai resistensi sebesar
34,0983Ω.
Actions (login required)
 |
View Item |
