Rizka, Futtyhat
(2024)
Pengaruh DEA dan Waktu Dipping terhadap Karakteristik Lapisan Tipis CuSnO3 dengan Menggunakan Metode Dip−Coating.
Skripsi thesis, Universitas Negeri Padang.
Abstract
Lapis tipis merupakan suatu lapisan material yang memiliki ketebalan mulai dari ukuran nanometer hingga ketebalan mikrometer. Bahan semikunduktor lain yang dapat digunakan dalam pembuatan lapisan tipis pengganti ITO seperti CuSnO3.CuSnO3 merupakan semikonduktor amorf dengan band gap 2,0-2,5 eV.Dip-coating merupakan salah satu metode yang dapat digunakan untuk mensintesis lapisan tipis CuSnO3. Penelitian ini bertujuan untuk melihat pengaruh DEA sebagai zat aditif dan waktu dipping terhadap karakteristik lapisan tipis CuSnO3. Hasil penelitian menunjukkan pengaruh variasi DEA 1 ml, 1,5 ml, dan 2 ml, diperoleh nilai band gap 2,55 eV, 2,41 eV, dan 2,31 eV. Semakin besar volume DEA, maka akan semakin kecil nilai band gap yang dihasilkan. Pada variasi waktu dipping 10 menit, 15 menit, dan 20 menit, dipeloreh nilai band gap 2,58 eV, 2,31 eV, dan 2,26 eV. Ketebalan lapisan dipengaruhi oleh lama waktu pencelupan, semakin lama waktu yang dibutuhkan maka lapisan yang dihasilkan akan semakin tebal. Diperoleh ketebalan 1,883 μm dengan nilai band gap terkecil 2,26 eV, serta konduktivitasnya yaitu 36,002 Scm-1.Hasil XRD yang terbentuk pada waktu dipping 20 menit terbentuk amorf CuSnO3, pada sampel DEA 2ml terbentuk campuran amorf CuSnO3 dan satu puncak kristal SnO2 tetragonal. Sedangkan pada sampel tanpa zat aditif terbentuk campuran amorf CuSnO3, kristal SnO2 tetragonaldanCuO monoklinik pada suhu 550oC.
Actions (login required)
 |
View Item |
